单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

封装/外壳：

供应商器件封装：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

功率耗散（最大值）：

已选条件：

4 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	UF4C120070K3S	UnitedSiC	1200V/70MOHM, SIC, FA...	1	241	加入询价
	UF4C120070K4S	UnitedSiC	1200V/70MOHM, SIC, FA...	1	503	加入询价
	UF4C120053K4S	UnitedSiC	1200V/53MOHM, SIC, FA...	1	2,000	加入询价
	UF4C120053K3S	UnitedSiC	1200V/53MOHM, SIC, FA...	1	2,000	加入询价

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