封装/外壳:
供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
CSD22205L Texas Instruments
MOSFET P-CH 8V 7.4A...
1 15,792 加入询价
CSD22202W15 Texas Instruments
MOSFET P-CH 8V 10A ...
1 53,208 加入询价
CSD22205LT Texas Instruments
MOSFET P-CH 8V 7.4A...
1 30,424 加入询价
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