供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor
MOSFET N-CHANNEL...
1 175 加入询价
RS3E095BNGZETB ROHM Semiconductor
MOSFET N-CHANNEL...
1 2,000 加入询价
RF6E065BNTCR ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A...
1 2,000 加入询价
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