供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMG2301LK-7 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 2.4A...
1 39,538 加入询价
CSD13380F3 Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3.6A...
1 87,199 加入询价
CSD13380F3T Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3.6A...
1 34,108 加入询价
DMG2301LK-13 Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 2.4A...
1 2,000 加入询价
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