- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Transphorm | GANFET N-CH 650V 25A... |
1 | 13,017 | 加入询价 | |
|
|
Transphorm | GANFET N-CH 650V 25A... |
1 | 126 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 650V SIC-MOSFET ... |
1 | 109 | 加入询价 | |
|
|
Transphorm | 650 V 25 A GAN FET |
1 | 399 | 加入询价 | |
|
|
Transphorm | GANFET N-CH 650V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
