漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
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IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4...
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IPD60R950C6 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4...
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IPD50R800CEBTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A...
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IPD60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.3...
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IPD50R800CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A...
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