- 品牌：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
20 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 14.... |
1 | 10,648 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 48,621 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 216 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 155 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 91 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 15A... |
1 | 219 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 500 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
