漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SIRA88DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 30V 45.5...
1 4,885 加入询价
SIR474DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A...
1 2,000 加入询价
SIR874DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 25V 20A...
1 2,000 加入询价
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