- 品牌:
-
- 供应商器件封装:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Goford Semiconductor | N20V,RD(MAX)<25M@4.5V... |
1 | 3,960 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |