供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A...
1 2,000 加入询价
IPP90R800C3XKSA2 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9...
1 2,000 加入询价
IPP90R800C3XKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9...
1 2,000 加入询价
SPP08N80C3XK Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A...
1 2,000 加入询价
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