- 品牌：
-
- 封装/外壳：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
8 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
1 | 4,412 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 2.1... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
1 | 2,624 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 2.1... |
1 | 797 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 5A... |
1 | 420 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 2.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
