- 品牌：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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13 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.4A... |
1 | 22,430 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 1.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 500V 160... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET P-CH 500V 100... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.8A... |
1 | 537 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 1.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 1.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 2.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 1.8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 1.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 1.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
1 | 2,000 | 加入询价 |
