漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
IRF1010EZPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A...
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IRF1010EZSTRLP Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A...
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IRF1010EZL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A...
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IRF1010EZS Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A...
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IRF1010EZ Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A...
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IRF1010EZSPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A...
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IRF1010EZLPBF Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A...
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AUIRF1010EZS Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A...
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AUIRF1010EZSTRL Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 75A...
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SIHB22N60S-E3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 600V 22A...
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SIHB22N60S-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 600V 22A...
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