FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
FQB4P25TM ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 4A...
1 2,000 加入询价
SPB08P06P Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A...
1 2,000 加入询价
SPB03N60S5ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2...
1 2,000 加入询价
SPB08P06PGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A...
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