供应商器件封装:
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SI4435DYTRPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
1 16,192 加入询价
TSM160P02CS RLG Taiwan Semiconductor
MOSFET P-CHANNEL...
1 3,699 加入询价
SI4435DYTR Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
1 2,000 加入询价
SI4435DY Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
1 2,000 加入询价
SI4435DYPBF Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A ...
1 2,000 加入询价
FDMS8674 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 17A...
1 2,000 加入询价
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