- 品牌:
-
- ON Semiconductor (11)
- Vishay / Siliconix (13)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A... |
1 | 10,068 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 400V 5.5... |
1 | 34,409 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 9A... |
1 | 21,533 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 6.5... |
1 | 2,989 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 400V 5.5... |
1 | 2,989 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 6.5... |
1 | 2,818 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 4.3... |
1 | 2,085 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.7... |
1 | 1,275 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 900V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 550V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 450V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 7.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 6.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 400V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 21A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 4.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 |