25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
FQT1N60CTF-WS ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 200...
1 2,000 加入询价
XR46000ESETR Exar Corporation
MOSFET N-CH 600V 1.5...
1 2,000 加入询价
NDT02N60ZT3G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 300...
1 2,000 加入询价
NDT02N60ZT1G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 300...
1 2,000 加入询价
XR46000ESE Exar Corporation
MOSFET N-CH 600V 1.5...
1 2,000 加入询价
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