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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
封装/外壳:
TO-220-3
(1)
TO-220-3 整包
(1)
供应商器件封装:
ITO-220AB
(1)
TO-220AB
(1)
功率耗散(最大值):
156W(Tc)
(1)
50W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) : 1200 pF @ 25 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) : 4V @ 250µA
漏源电压(Vdss) : 650 V
2 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
PJP10NA65_T0_00001
PANJIT
650V N-CHANNEL MOS...
1
2,000
加入询价
PJF10NA65_T0_00001
PANJIT
650V N-CHANNEL MOS...
1
2,000
加入询价
PJP10NA65_T0_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
询价
PJF10NA65_T0_00001
PANJIT
-
库存 : 2,000
询价
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型号:
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封装:
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