- 品牌:
-
- ON Semiconductor (6)
- PANJIT (2)
- Vishay / Siliconix (16)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A... |
1 | 12,244 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 20A... |
1 | 3,471 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A... |
1 | 917 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 52 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6... |
1 | 970 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 450V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 550V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 3.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |