- 封装/外壳:
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 功率耗散(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 492 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 419 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 650V 20A, TO-220AB, HI... |
1 | 956 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 650V 20A TO-220FM, HIG... |
1 | 999 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | 600V 20A TO-220FM, HIG... |
1 | 775 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 300 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 98 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 12.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 550V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |