供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
BSP298 E6327 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500...
1 2,000 加入询价
BSP298L6327HUSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500...
1 2,000 加入询价
BSP299 E6327 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400...
1 2,000 加入询价
SPN03N60C3 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 700...
1 2,000 加入询价
BSP299L6327HUSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400...
1 2,000 加入询价
BSP298H6327XUSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500...
1 2,000 加入询价
BSP299H6327XUSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 400...
1 2,000 加入询价
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