供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
GT1003A Goford Semiconductor
N100V, 3A,RD<140M@10V,V...
1 3,000 加入询价
GT10N10 Goford Semiconductor
N100V, 7A,RD<140M@10V,V...
1 2,500 加入询价
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