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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
技术:
-
(3)
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
(2)
漏源电压(Vdss):
1200 V
(2)
650 V
(3)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
31A(Tc)
(1)
33A(Tc)
(1)
54A(Tc)
(1)
65A(Tc)
(1)
85A(Tc)
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
100 毫欧 @ 20A,12V
(2)
35 毫欧 @ 50A,12V
(1)
45毫欧 @ 40A,12V
(1)
52 毫欧 @ 40A,12V
(1)
功率耗散(最大值):
190W(Tc)
(1)
254.2W(Tc)
(1)
326W(Tc)
(1)
429W(Tc)
(1)
441W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) : 1500 pF @ 100 V
供应商器件封装 : TO-247-4
5 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
UF3C065030K4S
UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 85A...
1
3,110
加入询价
UF3C120040K4S
UnitedSiC
SICFET N-CH 1200V 65...
1
763
加入询价
UF3C065040K4S
UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 54A...
1
393
加入询价
UF3C065080K4S
UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 31A...
1
13,504
加入询价
UF3C120080K4S
UnitedSiC
SICFET N-CH 1200V 33...
1
27,440
加入询价
UF3C065030K4S
UnitedSiC
-
库存 : 3,110
询价
UF3C120040K4S
UnitedSiC
-
库存 : 763
询价
UF3C065040K4S
UnitedSiC
-
库存 : 393
询价
UF3C065080K4S
UnitedSiC
-
库存 : 13,504
询价
UF3C120080K4S
UnitedSiC
-
库存 : 27,440
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