- 品牌:
-
- UnitedSiC (10)
- 供应商器件封装:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 54A... |
1 | 4,302 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 33... |
1 | 18,372 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 33... |
1 | 6,551 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 4,463 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 65... |
1 | 877 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 12,356 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 404 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 34... |
1 | 941 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | SICFET N-CH 1200V 65... |
1 | 35,878 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 21A... |
1 | 750 | 加入询价 | ||
UnitedSiC | SICFET N-CH 650V 85A... |
1 | 1,140 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 412 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 17.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |