- 品牌:
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- ON Semiconductor (9)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 787 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 487 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5... |
1 | 616 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 12 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 900V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 9.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |