- 品牌：
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- Nexperia (1)
- ON Semiconductor (1)
- Transphorm (4)
- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 46.... |
1 | 910 | 加入询价 | |
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Nexperia | GAN041-650WSB/SOT429/... |
1 | 137 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 46.... |
1 | 900 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 46.5 GAN FET |
1 | 564 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 19A... |
1 | 444 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 47.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 19A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
