- 品牌:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 功率耗散(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | 4V DRIVE NCH MOSF... |
1 | 2,490 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |