单 FET，MOSFET - 广鸿发科技

工作温度：

封装/外壳：

供应商器件封装：

漏源电压（Vdss）：

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：

功率耗散（最大值）：

已选条件：

3 条记录

图片	型号	品牌	描述	起订量	库存	操作
	APTM100DA40T1G	Microsemi	MOSFET N-CH 1000V 20...	1	2,000	加入询价
	APTM100SK40T1G	Microsemi	MOSFET N-CH 1000V 20...	1	2,000	加入询价
	APT40M75JN	Microsemi	MOSFET N-CH 400V 56A...	1	2,000	加入询价

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