供应商器件封装:
FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SQJ474EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 100V 26A...
1 2,000 加入询价
SQJ474EP-T1_BE3 Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S...
1 2,000 加入询价
SQJ474EP-T2_GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 100V 26A...
1 2,000 加入询价
FQB17P10TM ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 16....
1 2,000 加入询价
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