- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4.2A... |
1 | 12,594 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<27M@10V,... |
1 | 2,926 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<27M@10V,... |
1 | 2,950 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<60M@-10V... |
1 | 2,170 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V... |
1 | 4,940 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P30V,RD(MAX)<130M@-4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
