FET 类型:
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
RQ7E110AJTCR ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11A...
1 1,480 加入询价
G11S Goford Semiconductor
P-20V,RD(MAX)<18.4M@-4...
1 3,743 加入询价
SI8447DB-T2-E1 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 11A...
1 15 加入询价
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