FET 类型:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SISS63DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35.1...
1 17,493 加入询价
SI7655ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 40A...
1 20,072 加入询价
SI7655DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET P-CH 20V 40A...
1 17,788 加入询价
SIS612EDNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A...
1 2,000 加入询价
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