供应商器件封装:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
SPB03N60C3ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2...
1 2,000 加入询价
SPB03N60S5ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2...
1 2,000 加入询价
IPB114N03L G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A...
1 2,000 加入询价
我们一直持续专注
实力现货
即时报价
快速出货
0755-23990123
13723705933
微信客服1部
微信客服2部
绝对原装正品
原厂渠道
全新正品
原厂认证
检测报告
IQC品控检测