- 品牌：
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- ON Semiconductor (3)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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40 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 3,912 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 2A... |
1 | 2,480 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-18A,RD(MAX)<70M... |
1 | 4,960 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 15,164 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 20A... |
1 | 465 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A... |
1 | 38 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 143 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 18.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 16 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 5.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET N-CH 30V 29A... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET N-CH 40V 29A... |
1 | 2 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
