- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- Vishay / Siliconix (20)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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87 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2.5... |
1 | 1,850 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A... |
1 | 10 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 16.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 15A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 46A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Sanken Electric Co., Ltd. | MOSFET 40V/70A/0.005 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 46A... |
1 | 3 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 250V 5.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 4.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
