- 品牌:
-
- Intersil(瑞萨电子公司) (1)
- Vishay / Siliconix (20)
- 安装类型:
-
- 工作温度:
-
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
-
87 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.7... |
1 | 11,741 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 4.3... |
1 | 2,085 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.1... |
1 | 1,890 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.9... |
1 | 2,345 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 400V 3.7... |
1 | 1,275 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 250V 5.6... |
1 | 1,862 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 250V 4.1... |
1 | 3,026 | 加入询价 | ||
Intersil(瑞萨电子公司) | MOSFET N-CH 30V 40A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 46A... |
1 | 1,500 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | P-40V,-35A,RD(MAX)<20M... |
1 | 10,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 120V 42A... |
1 | 615 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 61 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3.1... |
1 | 980 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | TRENCH >=100V PG-TO... |
1 | 435 | 加入询价 | ||
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 35A... |
1 | 936 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
STMicroelectronics | MOSFET P CH 60V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 58A... |
1 | 46 | 加入询价 | ||
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |