供应商器件封装:
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
TP65H050WS Transphorm
GANFET N-CH 650V 34A...
1 198 加入询价
GAN063-650WSAQ Nexperia
GANFET N-CH 650V 34....
1 520 加入询价
TP65H050WSQA Transphorm
GANFET N-CH 650V 36A...
1 138 加入询价
TP65H050G4BS Transphorm
650 V 34 A GAN FET
1 500 加入询价
TP65H050G4WS Transphorm
650 V 34 A GAN FET
1 70 加入询价
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