- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.5... |
1 | 10,390 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED SWITC... |
1 | 2,488 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 600V 7A TO-220FM, HIG... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 7A TO-220FM, HIG... |
1 | 980 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 8A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 17 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 80 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 60-V (D-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 442 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY |
1 | 2,000 | 加入询价 |
