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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
(2)
150°C(TJ)
(1)
封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
(2)
TO-261-4,TO-261AA
(1)
供应商器件封装:
SOT-223
(1)
TO-236AB
(2)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
190mA(Ta)
(2)
520mA(Tc)
(1)
功率耗散(最大值):
6.25W(Tc)
(1)
830mW(Tc)
(2)
已选条件:
单 FET,MOSFET
Vgs(最大值) : ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) : 40 pF @ 10 V
漏源电压(Vdss) : 100 V
3 条记录
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型号
品牌
描述
起订量
库存
操作
BST82,235
Nexperia
MOSFET N-CH 100V 190...
1
2,000
加入询价
BST82,215
Nexperia
MOSFET N-CH 100V 190...
1
84,648
加入询价
BSP110,115
Nexperia
MOSFET N-CH 100V 520...
1
2,000
加入询价
BST82,235
Nexperia
-
库存 : 2,000
询价
BST82,215
Nexperia
-
库存 : 84,648
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BSP110,115
Nexperia
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库存 : 2,000
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