封装/外壳:
漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
DMN4020LFDE-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 8A ...
1 2,000 加入询价
RQ3P300BETB1 ROHM Semiconductor
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