- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 25A... |
1 | 13,017 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 25A... |
1 | 126 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 34A... |
1 | 198 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 36A... |
1 | 138 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 34 A GAN FET |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 25 A GAN FET |
1 | 399 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 34 A GAN FET |
1 | 70 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 25A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
