- 品牌:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
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- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<2.7M@10V... |
1 | 9,935 | 加入询价 | ||
Goford Semiconductor | N100V, 140A,RD<2.7M@10V... |
1 | 100 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 60A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 80-V (D-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | FET N CHANNEL 80V |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 80V 20.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 36A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30V 36A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 40V 60A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 30V 23A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |