漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
NTBS2D7N06M7 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 110A...
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FDB86566-F085 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 110A...
1 2,000 加入询价
SPB100N03S2L-03 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A...
1 2,000 加入询价
SPB100N03S2L03T Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A...
1 2,000 加入询价
SPB100N03S2L-03 G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A...
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