漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
FDD16AN08A0 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 9A/...
1 20,650 加入询价
IPB70N10SL16ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A...
1 2,000 加入询价
SPB70N10L Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A...
1 2,000 加入询价
SPI70N10L Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A...
1 2,000 加入询价
SPP70N10L Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A...
1 2,000 加入询价
FDD16AN08A0_NF054 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 9A/...
1 2,000 加入询价
IPI70N10SL16AKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A...
1 2,000 加入询价
IPP70N10SL16AKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A...
1 2,000 加入询价
FDD16AN08A0-F085 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 9A/...
1 2,000 加入询价
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