漏源电压(Vdss):
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
APTC60DAM24T1G Microsemi
MOSFET N-CH 600V 95A...
1 2,000 加入询价
APTC60DAM35T1G Microsemi
MOSFET N-CH 600V 72A...
1 2,000 加入询价
APTC60SKM35T1G Microsemi
MOSFET N-CH 600V 72A...
1 2,000 加入询价
APTC90SKM60T1G Microsemi
MOSFET N-CH 900V 59A...
1 2,000 加入询价
APTC90DAM60T1G Microsemi
MOSFET N-CH 900V 59A...
1 2,000 加入询价
APTC90DAM60CT1G Microsemi
MOSFET N-CH 900V 59A...
1 2,000 加入询价
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