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晶体管
FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
工作温度:
-55°C ~ 150°C
(1)
-55°C ~ 150°C(TJ)
(1)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V
(1)
12V
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
320 毫欧 @ 6.5A,10V
(1)
350 毫欧 @ 6.5A,12V
(1)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
4V @ 1mA
(1)
4V @ 250µA
(1)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
34.8 nC @ 10 V
(1)
45 nC @ 12 V
(1)
功率耗散(最大值):
25W(Tc)
(1)
800mW(Ta),25W(Tc)
(1)
已选条件:
单 FET,MOSFET
Vgs(最大值) : ±20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) : 6.5A(Tc)
供应商器件封装 : TO-205AF(TO-39)
2 条记录
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型号
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描述
起订量
库存
操作
JANTXV2N6849
Microsemi
MOSFET P-CH 100V 6.5...
1
2,000
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JANSR2N7389
Microsemi
MOSFET P-CH 100V 6.5...
1
2,000
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JANTXV2N6849
Microsemi
-
库存 : 2,000
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JANSR2N7389
Microsemi
-
库存 : 2,000
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