- 品牌:
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- 封装/外壳:
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- 漏源电压(Vdss):
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
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- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
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- 功率耗散(最大值):
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图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 6.1... |
1 | 2,397 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 6.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 6.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | ||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 6.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 |