- 品牌：
-
- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- Nexperia (4)
- ON Semiconductor (1)
- Littelfuse (10)
- Microsemi (9)
- Transphorm (4)
- UnitedSiC (2)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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52 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Taiwan Semiconductor | MOSFET P-CHANNEL... |
1 | 17,864 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A... |
1 | 14,633 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A... |
1 | 4,354 | 加入询价 | |
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|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 34A... |
1 | 15,936 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 106,980 | 加入询价 | |
|
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 34A... |
1 | 198 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET 34A 650V X3 T... |
1 | 445 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET 34A 650V X3 T... |
1 | 799 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 34 A GAN FET |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 800V 34A... |
1 | 28 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 34 A GAN FET |
1 | 70 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | 1200V/53MOHM, SIC, FA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 900V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 80V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 60V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A... |
1 | 1,880 | 加入询价 | |
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Nexperia | MOSFET N-CH 100V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 34A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
