- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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48 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 4.2A... |
1 | 224,473 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 8.9A... |
1 | 15,405 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 14.1... |
1 | 14,015 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 4A... |
1 | 7,500 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 40 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 8.4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 3.5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 11.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 4.2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V~... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
