- 工作温度：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 2A... |
1 | 1,402 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.7... |
1 | 966 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10A... |
1 | 982 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 308 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 14A... |
1 | 946 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 1.9... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
